| 型号： | NTJS3151PT1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| NTJS3151PT1G PDF |  |
| 产品目录绘图 | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 标准包装 | 10 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 400mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 850pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | NTJS3151PT1GOSDKR |